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[学位论文] 作者：梁晓祯,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进展,但应力诱导的压电问题一直是AlGaN/GaN HEMT的主...
[学位论文] 作者：梁晓祯,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN／GaN HEMT的研究已经取得很大的进展,但应力诱导的压电问题一直是AlGaN／GaN HEMT的主要...
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