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[学位论文] 作者:梅艺赢,
来源:辽宁师范大学 年份:2016
氧化锌(ZnO)是宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,这使得ZnO微/纳米结构在电子器件如场效应晶体管(FETs),紫外光电探测器,紫外(UV)激光器,发光二极管......
[期刊论文] 作者:冯秋菊,许瑞卓,郭慧颖,徐坤,李荣,陶鹏程,梁红伟,刘佳媛,梅艺赢,,
来源:物理学报 年份:2014
采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制...
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