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[期刊论文] 作者：樊路加,
来源：电子器件 年份：1986
在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,然后经过适当退火,便能达到目的。本文结合...
[期刊论文] 作者：樊路加,诸玉华,
来源：灯与照明 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：唐国洪,樊路加,
来源：电子器件 年份：1987
本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.This paper analyzes the reasons for the low breakdo...
[期刊论文] 作者：秦明,樊路加,VincentPoon,C.Y.Yuen,
来源：半导体学报 年份：2002
采用标准双栅 CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管 ,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄膜晶体管性能的影响 .实验发现不同的温度处...
[期刊论文] 作者：龚亚欢, 吴广志, 樊路加,,
来源：电子器件 年份：2007
为满足对花卉爱好者家庭中的盆花或农林产业中的植物进行自动地浇水的需求.采用自制传感器,结合AT89C52单片机芯片和其它相关器件研究设计自动多功能浇水器.通过测试表明,多...
[期刊论文] 作者：秦明,樊路加,Vincent Poon,C.Y.Yuen,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
采用标准双栅CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄膜晶体管性能的影响.实验发现不同的温度处理,...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,宋安飞,张海鹏,樊路加,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出...
[期刊论文] 作者：祁雪,黄庆安,秦明,张会珍,樊路加,
来源：电子器件 年份：2005
分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方...
[会议论文] 作者：祁雪,黄庆安,秦明,张会珍,樊路加,
来源：第九届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：2005
本文分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正,
来源：电子器件 年份：2002
本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27～300℃)宽温区高温特性,理论和实验研究结果表明p+p p +结构薄...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正璠,
来源：电子器件 年份：2002
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p...
[会议论文] 作者：冯耀兰,宋安飞,张海鹏,樊路加,张正璠,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温...
[期刊论文] 作者：吴金,刘其贵,樊路加,夏君,杨廉峰,魏同立,
来源：东南大学学报 年份：1999
本文系统分析了用于流密度方程有限差分离散的ＳＧ和ＯＡＤ方法，完善了适合于二维非均匀网格系统的流线ＳＧ方法．在此基础上，提出了适合流体动力学模型中流密度方程离散的二维ＯＡＤ方法．简单的数值实......
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