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[期刊论文] 作者：欧宏旗,
来源：微电子学 年份：1995
本文介绍了１０位Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ１００的电路结构和工作原理，重点叙述了工艺制作技术以及电路中ＣｒＳｉ薄膜电阻的激光修调技术，并介绍了一些实际制作经验，为以后的设计提供参考。......
[期刊论文] 作者：阚玲,欧宏旗,,
来源：微电子学 年份：2005
阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE＝5 V、IC＝500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15...
[期刊论文] 作者：欧宏旗,刘伦才,胡明雨,税国华,,
来源：微电子学 年份：2007
介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：钟怡,许国磊,欧宏旗,义岚,刘嵘侃,,
来源：微电子学 年份：2012
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常...
[期刊论文] 作者：税国华,唐昭焕,刘勇,欧宏旗,杨永晖,王学毅,黄磊,,
来源：微电子学 年份：2009
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVC...
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