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[期刊论文] 作者：武子茂,,
来源：甘肃科技纵横 年份：2019
单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新...
[学位论文] 作者：武子茂,
来源：兰州大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：武子茂, 兰会林,,
来源：兰州理工大学学报 年份：2016
以水热法制备不同形貌的二硫化钼电极材料,研究材料形貌对其电化学性能的影响.采用X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱（Raman）对制备的二硫化钼进行形貌、成分、结构表......
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