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[期刊论文] 作者：毕津顺,
来源：现代应用物理 年份：2018
介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界电荷标准和软错误截面等单粒子软错误的基本...
[学位论文] 作者：毕津顺,
来源：中国科学院微电子研究所 年份：2008
本文研究了部分耗尽SOI器件，主要的研究成果包括： 1)研究了背栅沟道注入对于浮体和体接触部分耗尽CMOS/SOI器件击穿特性的影响，随着背栅沟道注入剂量的增加，浮体nMOS和H型栅......
[会议论文] 作者：毕津顺,
来源：2016北京微电子研究生学术论坛 年份：2016
随着我国航天事业的飞速发展，长寿命、高可靠、抗辐照、低功耗和微型化为基本特点的宇航级Flash存储器已成为学术界和工业界的关注重点。本报告重点关注空间辐照环境、闪存工作机理及其辐照效应、闪存的空间应用及失效案例、抗辐照加固技术与未来技术展望。......
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET，降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2007
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件．对这些器件的关态击穿特性进行了研究．当背栅沟道注入剂量从1．0×10^13增加到1．3......
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2006
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管．传统栅体直接连接DTMOS，为了避免体源二极管的正向开启，工作电压应当低于0．7V．而采用反偏肖特基势垒结......
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：半导体技术 年份：2007
研究了0．8μm部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）CMOS器件和电路，开发出成套的0．8μm PDSOI CMOS工艺。经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路。其中，当工作电压为5V时，基于浮体SOI CMOS技......
[会议论文] 作者：毕津顺,海潮和,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对基于PDSOI DTMOS的低压低功耗镜像全加器进行了研究。文章围绕PDSOIDTMOS器件特性和超低压低功耗镜像全加器的设计进行了论述。...
[会议论文] 作者：毕津顺,海潮和,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照电路设计，对SOISRAM存储单元进行加固，大大提高......
[会议论文] 作者：毕津顺,海潮和,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用相同的工艺，在绝缘体上硅衬底上制备了动态阈值nMOS和H型栅体引出nMOS。测试结果显示，从298K到398K，H型栅体引出nMOS阈值电压改变40％，亚阈值斜率改变48.3％，而动态阈值nMOS阈......
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：半导体学报 年份：2007
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1·0×1013增加到1·3×...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：半导体学报 年份：2006
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基...
[期刊论文] 作者：毕津顺,韩郑生,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2014
本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET...
[期刊论文] 作者：毕津顺,韩郑生,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Nano-scale Hf/Hf O2-based resistive random-access-memory(RRAM) devices were fabricated. The cross-over between top and bottom electrodes of RRAM forms the metal...
[期刊论文] 作者：毕津顺,吴峻峰,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理．对于nMOS器件，背栅n阱是通过剂量为3×10^13cm^-2，能量为250keV的...
[期刊论文] 作者：林雪芳,B.Allard,毕津顺,李博,
来源：电气工程与自动化：中英文版 年份：2015
DC/DC变换器属线性混合系统一类.其稳定性分析必须考虑到它们的切换特性.本文介绍一种简单的稳定性分析方法,它可预测被控制的DC/DC变换器在参数变化条件下可能出现的不稳定...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,韩郑生,
来源：电子器件 年份：2005
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOI DTMOS可以有效地解决这个问题.本文介绍...
[期刊论文] 作者：毕津顺,韩郑生,海潮和,,
来源：半导体技术 年份：2010
对比研究了20μm/0.35μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性。从20~125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了...
[期刊论文] 作者：毕津顺,韩郑生,海潮和,,
来源：半导体技术 年份：2010
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜...
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