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[学位论文] 作者：毛鸿凯,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2004
碳化硅材料是一种具有高热导率、宽禁带、耐高温以及抗辐射能力强的半导体材料,近几年由于它优良的特性而受到国际社会的广泛关注,其在现代军事电子通讯系统、航天系统、电磁...
[期刊论文] 作者：苏芳文,毛鸿凯,隋金池,林茂,张飞,
来源：电子科技 年份：2021
针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进...
[期刊论文] 作者：毛鸿凯,苏芳文,林茂,张飞,隋金池,
来源：电子科技 年份：2021
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的...
[期刊论文] 作者：张飞,林茂,毛鸿凯,苏芳文,隋金池,
来源：电子科技 年份：2021
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件的电场分布,降低了高场区的电场峰值,从而降...
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