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[学位论文] 作者:汤庆鑫, 来源: 年份:2004
ZnO 是一种宽带隙半导体(3.37 eV),激子束缚能高达60 meV,这使得 ZnO具有高效的,源于激子的紫外发射,并使得ZnO在短波长激光二极管、紫外探测器等方面有着广泛的应用前景。到目前为止,人们已经采用激光脉冲沉积,磁控溅射,金属有机气相沉积等技术来制备ZnO。从提高ZnO发光......
[会议论文] 作者:汤庆鑫, 来源:2020第二届有机光电材料与器件发展高峰研讨会 年份:2020
  可贴合/可拉伸有机场效应器件具有优异的柔/弹性,可以像皮肤一样穿戴于人体或机器人表面,在可穿戴便携电子产品应用中具有重要意义,已成为当前有机电子学的研究热点。器件集......
[会议论文] 作者:汤庆鑫, 来源:2020第三届光电材料与器件发展研讨会 年份:2020
能够模仿生物神经元功能的生物兼容可贴合突触晶体管,是未来可穿戴计算、自适应脑机接口、脑功能拓展和修复等可附着/可植入电子产品的必备组成单元。实现这些新奇的应用,可贴合突触器件不仅需要在三维形变下依然保持稳定的电学性能,还要具有良好的表面附着性以实......
[期刊论文] 作者:廖志宇,汤庆鑫,, 来源:电子元件与材料 年份:2011
石墨烯的高晶体质量、高电导率、单层结构以及与有机半导体的良好兼容性使其成为纳米器件和分子器件的理想电极材料。纳米间隙电极对是构筑纳米器件的基础,发展了两种制备石...
[会议论文] 作者:邓亮亮,汤庆鑫, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
本文采用商业化的、廉价的、轻质的玻璃纤维作掩膜成功制备了基于酞菁铜(CuPc)单晶纳米线的场效应晶体管。这种新颖的制备单晶场效应器件的方法不仅简化了器件的制备过程,而且能够得到高性能的器件。......
[会议论文] 作者:汤庆鑫;童艳红;塔力哈尔;, 来源:中国化学会第29届学术年会 年份:2014
  有机微纳单晶场效应晶体管是有机电子学的研究热点之一,兼顾了有机半导体柔性、质轻、分子构型和性能可人为设计,单晶中分子长程有序、缺陷少,微纳结构体积小等3方面的优...
[会议论文] 作者:王海婷;汤庆鑫;刘益春;, 来源:第十四届全国敏感元件与传感器学术会议 年份:2016
结合光晶体管和有机半导体的优势,制备了基于CuPc单晶微/纳米带有机场效应晶体管,通过光照强度和栅极电压以及源漏电压的控制可以实现快速响应的光电开关,显示了在有机光电子...
[会议论文] 作者:周瑜,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
我们提出了一种通过氧等离子处理与绝缘层接触的MoS2表面,制备MoS2非挥发性场效应晶体管存储器的简单方法.通过氧等离子处理,可以在MoS2表面引入深缺陷.而只有当缺陷位于绝缘层与半导体界面时才能起到电荷俘获的作用,从而显露出存储性能.......
[会议论文] 作者:李明璇,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  在917℃的温度下,我们利用氧化锌和石墨作为混合物源,通过无催化气—固生长,获得了超长的氧化锌纳米线。氧化锌纳米线长度超过100μm,直径约100-300nm,具有统一的六边形...
[会议论文] 作者:赵鹏飞,汤庆鑫,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  传统的石墨烯纳米带场效应晶体管在剥离纳米带和器件制备过程中都涉及湿处理。于是我们提出了一种简单、新颖的无溶液法制备石墨烯纳米带及其场效应晶体管,我们分别采用金......
[会议论文] 作者:任航,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  我们采用采用滴铸法制备出排列整齐的四硫富瓦烯单晶微纳线阵列,成功率可达到86%。在之前实验研究的基础上,我们做出了一点关键性的改善,即在室温条件下将衬底放置在充满饱和......
[会议论文] 作者:刘美玲,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  对比传统的滴注法,多滴滴注法生长的超长四硫富瓦烯微纳线阵列的成功率高达94%。这种方法生长在液滴间的微纳线阵列是定向的,并且阵列长度超过上百毫米。微纳线的宽度可以通......
[会议论文] 作者:郑磊,汤庆鑫,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  目前报道中的纤维状的有机场效应晶体管通常采用薄膜材料和层层堆叠的制备方式,这是由于在弯曲、粗糙的纤维状衬底上难以实现均一平滑的绝缘层以及半导体层的制备所导致的......
[会议论文] 作者:周钰莹,汤庆鑫,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  我们证实了一种新颖的、利用毛笔的溶液自组装方法,制备了可控的、高度有序的、大面积的TCNQ单晶微米线阵列。这种阵列不仅可以生长在传统的刚性衬底上,例如:硅片、二氧化硅......
[会议论文] 作者:李梦杰,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  通过对三端场效应纳米线交叉结传输特性和机制的系统研究,发现纳米线交叉结能够使晶体管的开关比提高至少两个数量级以上。与两端交叉结不同,三端场效应纳米线交叉结界面处......
[会议论文] 作者:汤庆鑫,赵晓丽,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  柔性/弹性便携的仿生电子皮肤、穿戴智能设备、显示产品等新一代电子设备在未来拥有巨大的需求空间,有机场效应器件在这些应用中具有得天独厚的优势。这得益于有机半导体......
[会议论文] 作者:丁雪艳,童艳红,汤庆鑫,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
  ZnPc纳米带是利用物理气相传输法生长的,其长度大约为20-150微米,宽度几十纳米到几微米.利用高结晶的ZnPc纳米带在OTS修饰后的SiO2上制备单晶纳米带晶体管,其最高的迁移...
[会议论文] 作者:宋智祺,汤庆鑫,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
近些年来,一维纳米结构场效应晶体管由于其在气敏探测方面的巨大潜力受到了广泛关注。微/纳米结构场效应晶体管构建的气体传感器结合了一维纳米结构和场调制电学特性两者共同的优势:一方面,一维纳米材料具有高的比表面积,为气体传感器提供了高灵敏度和快的响应速度,......
[会议论文] 作者:汤昆鹏,汤庆鑫,童艳红,刘益春, 来源:中国化学会第30届学术年会 年份:2016
我们成功制备了以SnO2:Sb纳米带为源漏电极的SnO2单晶纳米带场效应晶体管。当暴露于NO2气氛环境下时,器件显示出异常特征,即阈值电压向负压方向发生偏移。通过与以SnO2纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极,和以SnO2:Sb纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极的两种场效......
[期刊论文] 作者:李荣金,李洪祥,汤庆鑫,胡文平, 来源:物理 年份:2006
分子器件作为下一代电子器件近年来得到了迅速的发展.文章回顾了分子器件的发展历程和研究现状,并重点对分子导线、分子开关、分子整流器和分子晶体管等器件进行了介绍。...
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