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[期刊论文] 作者：汤益丹, 董升旭, 杨成樾, 郭心宇, 白云,,
来源：电工电能新技术 年份：2018
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用...
[期刊论文] 作者：董升旭, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 刘新,
来源：半导体技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：董升旭, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 刘新,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：陈依新,郑婉华,陈微,陈良惠,汤益丹,沈光地,,
来源：物理学报 年份：2010
近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光...
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