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[期刊论文] 作者：张华曹,涂序梅,,
来源：西安理工大学学报 年份：1992
本文利用场限环理论和消除寄生晶体管效应等措施,提出了保证在原胞区击穿电压不降低的前提下,VDMOS导通电阻Ron及其结构参数的最佳设计方法。与以往的方法相比,具有使BVDS容...
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