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[学位论文] 作者：滑育楠,
来源：东南大学 年份：2011
自20世纪80年代以来,移动通信在全球范围内得到迅猛发展,它不仅改变了人们的通信方式,而且在某种程度上改变了人们的生活方式。然而在移动通信系统中,为了提高整个系统的效率...
[期刊论文] 作者：滑育楠, 廖学介, 邬海峰,,
来源：电子世界 年份：2018
本文介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的6–18GHz宽带低噪声单片放大器(LNA)。该双级放大器由两个共源晶体管级联构成,前级放大器主要实现最小噪声匹配,后级放大器主要...
[期刊论文] 作者：李国熠, 滑育楠, 邬海峰,,
来源：电子世界 年份：2018
本文在分析目前GaN高功率微波器件研究现状的基础上,总结了GaN高功率微波器件及芯片的关键技术和发展趋势,仅供相关领域的学者参考。...
[期刊论文] 作者：滑育楠, 梁聪, 张晓东, 高怀,,
来源：微电子学 年份：2004
利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2μmInGaP/GaA...
[期刊论文] 作者：王为, 袁野, 廖学介, 滑育楠,
来源：集成电路应用 年份：2022
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示，在2～6GHz，接收通道增益25dB，噪声系数小于2.5dB，输出P1dB功率13.5dBm，电流小......
[期刊论文] 作者：廖学介, 滑育楠, 刘莹, 邬海峰,,
来源：电子世界 年份：2019
本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6~18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增益24dB,功率增益21dB,输出功率大于31dBm,功...
[期刊论文] 作者：杨烨,滑育楠,孙晓红,张晓东,高怀,,
来源：电子器件 年份：2010
计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将...
[期刊论文] 作者：程华,严唯敏,滑育楠,胡善文,高怀,,
来源：电子科技 年份：2010
利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12GHz频带内,复合...
[期刊论文] 作者：梁聪,滑育楠,胡善文,张晓东,张海涛,高怀,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;...
[期刊论文] 作者：滑育楠,梁聪,高怀,杨立武,李贯平,,
来源：半导体技术 年份：2010
介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复...
[期刊论文] 作者：牛旭,滑育楠,胡善文,张晓东,高怀,孙晓红,,
来源：电子器件 年份：2010
基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明：该功率...
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