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[学位论文] 作者：滕国兵,,
来源：南京邮电大学 年份：2016
随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小,集成电路日益向小型化和高密度化发展,很容易遭受到静电放电(ESD)的影响。一次轻微的ESD事件,甚至会造成器件永久失效...
[期刊论文] 作者：陈旭东, 成建兵, 郭厚东, 滕国兵, 周骏, 袁晴雯,,
来源：微电子学 年份：2017
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通...
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