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[期刊论文] 作者：徐玉超, 潘恩赐,
来源：集成电路应用 年份：2023
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外延之间横向生长一层高质量的缓冲层。...
[期刊论文] 作者：潘恩赐, 徐玉超, 郑晨扬,
来源：电子技术 年份：2023
阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构，在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO2界面的高密度界面缺陷。采用PECVD淀积一层均匀的SiO2膜后，通过热氧化工艺在淀积膜与4H-SiC/SiO2间生长一层很薄的氧化物过渡层。根据不同温区间热氧化温......
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