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[学位论文] 作者：焦探,,
来源：北方工业大学 年份：2020
作为电力电子变换器核心之一的功率半导体器件,其每次更新都会使变换器性能得到提升。第三代宽禁带半导体器件以GaN为代表,与Si器件相比更适合工作于高频、高温、高效率环境...
[期刊论文] 作者：张卫平,焦探,刘元超,
来源：电源学报 年份：2019
针对氮化镓GaN(gallium nitride)功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计。首先,在了解GaN器件的基本特性后,通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路,分析了GaN寄生参数对驱动...
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