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[学位论文] 作者:熊晨荣,,
来源:清华大学 年份:2004
随着科学技术的发展,信息社会对电路集成度要求不断提高,促使人们寻找绕过晶体管尺寸极限的途径,纳电子学和单电子学在此背景中应运而生,居于半导体科学和工程研究前沿。隧穿...
[期刊论文] 作者:陈培毅,熊晨荣,王燕,
来源:微纳电子技术 年份:2003
隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-Ⅴ)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能.在最近的研究中,空穴型双势垒单...
[期刊论文] 作者:熊晨荣,王燕,陈培毅,余志平,
来源:清华大学学报(自然科学版) 年份:2005
共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件。采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴...
[会议论文] 作者:魏榕山,王吉林,熊晨荣,张磊,邓宁,陈培毅,
来源:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份:2003
量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值.硅基Ge量子点红外探测器更是由于具有对正入射光敏感、...
[期刊论文] 作者:熊晨荣,王民生,黄文韬,陈培毅,王燕,罗广礼,
来源:半导体学报 年份:2003
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管,常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm^2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=...
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