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[学位论文] 作者：熊浩天,
来源：重庆大学 年份：2023
平板显示技术（FPD）的不断发展,对其中关键开关器件—薄膜晶体管（TFT）的迁移率等电学性能提出了更高的要求。作为非晶氧化物半导体（AOS）TFT沟道层的新材料之一,铟镓锌氧（IGZO）因其迁移率高(＞10 cm~2 V-1 s-1)、大尺寸均一性好、制备温度低等优点,已逐渐取代氢化非晶硅（a-Si......
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