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[学位论文] 作者：牟靖宇,,
来源：电子科技大学 年份：2015
功率半导体器件在电源管理、消费电子、电力传输等领域得到广泛的应用,对人们的生活产生深远影响。硅基半导体器件经过几十年的发展,其性能几乎超过其材料的理论极限,然而电...
[会议论文] 作者：汪玲;周琦;鲍旭;牟靖宇;施媛媛;刘朝阳;陈万军;张波;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出一种具有结终端混合阳极结构(Edge-terminated hybrid anode-ETH)的高性能AlGaN/GaN功率二极管(ETH-Diode).通过优化混合阳极肖特基接触下方势垒层厚度以调制沟道中...
[会议论文] 作者：鲍旭,张波,周琦,汪玲,牟靖宇,施媛媛,章晋汉,靳旸,黄伟,陈万军,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出一种适用于Ⅲ-Nitride半导体材料的等离子体干法刻蚀结合氧化/湿法腐蚀的两步刻蚀方法,利用该方法成功制备了一种高性能增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件.该两步刻蚀方法首先使用等离子干法刻蚀实现表层AlGaN势垒层的快速刻蚀,然后利用O2等离子体干法......
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