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[学位论文] 作者:王任卿, 来源:北京工业大学 年份:2011
功率SiGe异质结晶体管(HBTs)通常采用多发射极指结构,由于器件自身耗散功率引起的自加热效应及各个发射极指之间的热耦合效应,导致各发射极指上的温度分布不均匀。又巾于器件...
[会议论文] 作者:金冬月,张万荣,陈亮,肖盈,王任卿, 来源:中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会 年份:2010
在充分考虑到自加热和热耦合效应所导致的各发射极指上沿指长方向温度分布不均匀的基础上,建立了可精确模拟多指功率异质结双极晶体管(HBT)三维温度分布的热分析模型。并以6指...
[期刊论文] 作者:付强,张万荣,金冬月,谢红云,赵昕,王任卿,, 来源:半导体技术 年份:2011
相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,...
[期刊论文] 作者:孙蓉,王任卿,于晓,尹建伟,秦素娟, 来源:齐鲁药事 年份:2005
本文综述了麝香中所含的多种化学成分及其药理活性,为麝香在临床上的应用提供理论依据。...
[期刊论文] 作者:肖盈,张万荣,金冬月,陈亮,王任卿,谢红云,, 来源:物理学报 年份:2011
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,...
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,肖盈,王任卿,尤云霞,, 来源:半导体技术 年份:2011
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到...
[期刊论文] 作者:肖盈,张万荣,金冬月,陈亮,王任卿,丁春宝,, 来源:电子器件 年份:2011
通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,僻到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均......
[期刊论文] 作者:金冬月,张万荣,陈亮,付强,肖盈,王任卿,赵昕,, 来源:Chinese Physics B 年份:2011
The thermal resistance matrix including self-heating thermal resistance and thermal coupling resistance is presented to describe the thermal effects of multi-fi...
[期刊论文] 作者:金冬月,张万荣,付强,陈亮,肖盈,王任卿,赵昕,, 来源:Chinese Physics B 年份:2011
With the aid of a thermal-electrical model,a practical method for designing multi-finger power heterojunction bipolar transistors with finger lengths divided in...
[期刊论文] 作者:田蕴杰,张小玲,谢雪松,佘烁杰,吕长志,王任卿,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2014
IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效。通过有限元软件ANSY...
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,谢红云,肖盈,王任卿,丁春宝,, 来源:物理学报 年份:2011
为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出...
[期刊论文] 作者:孙博韬,张万荣,金冬月,谢红云,丁春宝,尤云霞,王任卿,, 来源:半导体技术 年份:2011
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原...
[期刊论文] 作者:谢红云,陈亮,沈珮,孙博韬,王任卿,肖盈,尤云霞,张万荣,, 来源:半导体学报 年份:2010
A novel cascaded DFB laser,which consists of two serial gratings to provide selectable wavelengths,is presented and analyzed by the transfer matrix method.In th...
[期刊论文] 作者:丁春宝,张万荣,谢红云,沈珮,陈亮,尤云霞,孙博韬,王任卿,, 来源:北京工业大学学报 年份:2012
基于Jazz0.35μmSiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16mm×0.78mm;在带...
[期刊论文] 作者:王任卿,张万荣,金冬月,陈亮,丁春宝,肖盈,孙博韬,赵昕,, 来源:电子器件 年份:2010
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。...
[期刊论文] 作者:孙博韬,张万荣,谢红云,陈亮,沈珮,黄毅文,尤云霞,王任卿,, 来源:电子器件 年份:2010
宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计...
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,沈珮,谢红云,丁春宝,肖盈,孙博韬,王任卿,, 来源:Chinese Physics B 年份:2011
A method of non-uniform finger spacing is proposed to enhance thermal stability of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under differen...
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