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[学位论文] 作者:王傲尘, 来源:天津大学 年份:2019
研究了静电纺丝收集距离对P(VDF-TrFE)纳米纤维晶体结构和压电性的影响。收集距离为10cm时纳米纤维拥有更多β相,其压电系数d31最高,为16.17pC/N。在此工艺条件下,制备了极化P(VDF-TrFE)纳米纤维支架,研究了其体内能量收集特性、体外细胞相容性和对细胞增殖的影响。......
[期刊论文] 作者:王傲尘,王胜利,刘玉岭,李炎,, 来源:Journal of Semiconductors 年份:2014
This work investigates the static corrosion and removal rates of copper as functions of H2O2 and FA/OIIconcentration,and uses DC electrochemical measurements su...
[期刊论文] 作者:李炎,刘玉岭,卜小峰,王傲尘,, 来源:中国表面工程 年份:2014
根据相似相容原理,在低磨料浓度CMP过程中,利用乙醇对多羟多胺螯合剂的降黏特性来提高铜膜表面凹凸处抛光速率的选择性。根据抛光液中各组分浓度对动态和静态条件下铜膜去除速......
[期刊论文] 作者:李炎,张宏远,刘玉岭,王傲尘,李洪波,, 来源:稀有金属 年份:2015
主要研究了低磨料浓度下铜互连线的平坦化机制,建立了凸处和凹处的铜膜去除模型,并在MIT 854铜布线片上进行了验证实验,进一步证明了机制模型的正确性。在工作压力存在的条件...
[期刊论文] 作者:李炎,刘玉岭,牛新环,王傲尘,李洪波,, 来源:中国表面工程 年份:2014
根据液固化学反应特性和欧几里得有效面积公式,建立了适用于粗糙晶圆表面的化学反应动力学方程,得到了不同晶圆表面的化学反应速率常数和化学机械平坦化(CMP)前后晶圆质量差。根......
[期刊论文] 作者:李炎,刘玉岭,王傲尘,刘伟娟,洪娇,杨志欣,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2014
通过低磨料浓度下催化反应对铜膜抛光速率的影响,证实了纳米SiO2胶体作为催化反应物可以极大地提高铜膜表面的化学反应速率。通过浸泡在不同磨料浓度抛光液中的铜电极表面腐...
[期刊论文] 作者:李炎,王傲尘,李洪波,唐继英,樊世燕,卜小峰,, 来源:化工中间体 年份:2014
本文通过对乙二醛合成反应动力学的研究,得到了不同温度下各反应的化学反应速率常数。根据阿伦尼乌斯方程对上述化学反应速率常数进行线性拟合分析,最终得到了不同阶段化学反...
[期刊论文] 作者:李炎,李洪波,王傲尘,卜小峰,唐继英,樊世燕,, 来源:化工中间体 年份:2013
乙二醛作为一种重要的化工中间体,用途涉及到诸多行业,但是其合成工艺一直不太成熟。本文通过研究控制乙二醛合成反应的因素对乙二醛产率和产率选择性的影响,得出了乙醛硝酸...
[期刊论文] 作者:李炎,孙鸣,李洪波,刘玉岭,王傲尘,何彦刚,闫辰奇,张金,, 来源:表面技术 年份:2014
目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和......
[期刊论文] 作者:李炎,孙鸣,牛新环,刘玉岭,何彦刚,李海龙,王傲尘,李洪波,, 来源:Journal of Semiconductors 年份:2014
This article introduces the removal technology of CuO particles on the post CMP wafer surface of multi-layered copper. According to the Cu film corrosion curve...
[期刊论文] 作者:李炎,刘玉岭,王傲尘,杨志欣,孙铭斌,程川,张玉峰,张男男,, 来源:Journal of Semiconductors 年份:2014
There is a lot of hydroxyl on the surface of nano SiO2 sol used as an abrasive in the chemical mechanical planarization(CMP) process, and the chemical reaction...
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