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[期刊论文] 作者：杨宝均,王寿寅,
来源：发光学报 年份：1990
本文报导了在透明的CaF_2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。...
[期刊论文] 作者：李光平,王寿寅,
来源：现代仪器 年份：1999
本文详细研究了扫描光荧光谱在半绝缘砷化镓材料与器件性能关系中的应用，实验结果表明ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的ＰＬ Ｍａｐｐｉｎｇ均匀性对器件性能有着至关重要的影响，所以在制备器件选择优势的ＳＩ－ＧａＡｓ材料时，除了电阻率......
[会议论文] 作者：王寿寅,范希武,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
用ODLTS方法观测到在真空加热ZnSe晶体后新出现的EV＋0．30ev，EV＋0．72ev和EV＋0．33ev三个受主能级，同时在77K电致发光光谱上出现了5300R的绿带。以及5320A[*°*]的红带。文中研究了在真...
[会议论文] 作者：张吉英;范希武;王寿寅;,
来源：全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 年份：1985
利用深能级瞬态谱的方法可以了解半导体材料中深能级的信息，缺点是不能检测肖特基二极管中少子的陷阱能级。ODLTS法可以克服这一缺点。因此特别适用于检测不易做成P-n结的Ⅱ—...
[会议论文] 作者：李光平,李静,何秀坤,王寿寅,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用 ，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备...
[期刊论文] 作者：彭星国,范希武,王寿寅,张吉英,
来源：发光学报 年份：1989
本文用光学深能级瞬态谱(ODLTS)方法研究了ZnSe:Ga晶体中的自激活(SA)深受主能级。首次用ODLTS技术测量了ZnSe:Ga晶体中与SA中心相应的深受主能级为0.65eV。文中还研究了该深...
[期刊论文] 作者：王寿寅,杨宝钧,李维志,范希武,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
Optical bistability (OB) in semiconductors is of increasing interest in both basic and applied research. Much is known about optical nonlineari-ties and OB in C...
[期刊论文] 作者：李光平, 汝琼娜, 李静, 何秀坤, 王寿寅, 陈祖祥,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系 ,所以在为...
[会议论文] 作者：李光平,汝琼娜,李静,何秀坤,王寿寅,陈祖祥,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
该文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及Mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所...
[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,李静,何秀坤,王寿寅,陈祖祥,胡春风,
来源：现代仪器 年份：1999
本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,...
[期刊论文] 作者：范希武,张吉英,张志舜,王寿寅,吕安德,李维志,姜锦秀,孙要武,
来源：发光与显示 年份：1985
本文研究了用ZnS多晶薄膜作绝缘层时制备的ZnSe MIS二极管,在正向电压激发下的蓝色电致发光的空间分布,在光学显微镜下观察到电致发光呈稀疏的点状分布。为了了解发光点的起...
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