搜索筛选:
搜索耗时0.0438秒,为你在为你在23,761,000篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：田招兵,顾溢,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2008
建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型．通过引入收集效率函数，模拟计算了探测器量子效率和光响应．采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用了H3PO4／H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs／InP和InAlAs／InP材料湿法腐蚀特性进行了研究，研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：半导体光电 年份：2006
采用气态源分子束外延（GSMBE）生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0．53Ga0．47As／InP光伏探测器阵列，并对其特性进行了测量，结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性......
相关搜索：
