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[期刊论文] 作者：田浦延,陈蒲生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系.分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装...
[期刊论文] 作者：田浦延,布良基,等,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2002
讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性，对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验，并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析，从而确定它们是否满足光耦设计中对封......
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,等,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2001
用卤素－钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN），在＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上制备了Si-SiOxNyAl电容，并测量了由低场到F－N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性。测量......
[期刊论文] 作者：冯文修,张恒,陈蒲生,田浦延,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄...
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：华南理工大学学报 年份：2004
用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)，在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容，并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输...
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,田浦延,刘剑,
来源：半导体学报 年份：2001
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅...
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2001
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜...
[期刊论文] 作者：田浦延,陈蒲生,布良基,冯文修,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2002
讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析 ,从而确定它们是否满足光耦设计...
[期刊论文] 作者：田浦延,布良基,陈蒲生,冯文修,
来源：半导体技术 年份：2002
对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响...
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