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[期刊论文] 作者：白国仁,,
来源：黑龙江教育学院学报 年份：2010
军事理论课教学是大学国防教育的重要阵地,应立足于深化教学改革,从提高大学生综合素质的要求出发,不断提高军事理论课教师的教学科研水平,并运用有效的方法在教学内容、教学...
[期刊论文] 作者：白国仁,,
来源：黑龙江教育学院学报 年份：2011
对高校新生进行必要的军事训练是我国法律赋予的一项重要任务,也是全面提高大学生综合素质的根本需要。随着高等院校军训工作的全面展开,许多新情况、新问题日渐凸显,尤其是...
[期刊论文] 作者：白国仁,,
来源：黑龙江教育学院学报 年份：2009
《孙子兵法》是一部闪烁着中华民族智慧之光的世界军事名著,其丰富的思想内涵不仅涵盖军事领域,而且对确立国防战略、开展全民国防教育也有许多有益的启示。高等学校应积极普...
[期刊论文] 作者：白国仁,
来源：黑龙江科技信息 年份：2004
开展国防教育是在校大学生学习江泽民同志“三个代表”重要思想的实践活动之一；是和平态势下未雨绸缪的一项重要举措，关系到党、国家和民族的兴衰和存亡，是建设和巩固国防的基础......
[期刊论文] 作者：白国仁,
来源：继续教育研究 年份：2001
每门课程在教学结束前一般都要进行考试,以便检查教学效果及评定学生学习成绩,所以考试是教学任务中很重要且又是经常性的一项工作....
[期刊论文] 作者：白国仁,,
来源：新教育时代电子杂志（学生版） 年份：2018
文章以思维导图为研究背景,对该方式在数学教学中的应用进行全面的分析.首先探讨思维导图对于初中数学教学的影响,其次初中数学教学中所使用的思维导图方式进行解析,希望分析...
[期刊论文] 作者：施天生,白国仁,
来源：半导体学报 年份：1989
利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结...
[期刊论文] 作者：章熙康,白国仁,
来源：薄膜科学与技术 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：陈建民,谢雷鸣,白国仁,周建坤,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1989
本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm~(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d......
[期刊论文] 作者：谢雷鸣,白国仁,施天生,祁明维,
来源：红外研究 年份：1984
氢气区熔硅单晶在伸缩振动区域存在两个强吸收峰:2210 cm~(-1)、1946 cm~(-1)(10K时,频率分别为2223、1952 cm~(-1))。在纯氘气氛下前者位移到1617 cm~(-1),后者位移到(1421...
[期刊论文] 作者：白国仁,祁明维,谢雷鸣,施天生,
来源：红外研究 年份：1984
氢气区熔硅单晶在伸缩振动区(2300～1900cm~(-1))和弯曲摇摆区(1000～500cm~(-1))存在众多与氢有关的红外吸收峰。关于这些峰的本质虽有很多研究,但是由于缺乏足够的实验数据,因...
[期刊论文] 作者：施天生,谢雷鸣,白国仁,祁明维,
来源：红外研究 年份：1984
2210cm~(-1),1946cm~(-1)峰是氢气区熔硅单晶(c-Si:H)中伸缩振动区两个主要的强峰,搞清它们的本质是认识整个Si-H红外吸收谱的第一步。对此文献中曾有过多种不同的假设。但...
[期刊论文] 作者：吴宗焱,沈月华,叶雅谷,祁明维,白国仁,
来源：半导体学报 年份：1984
在用磷掺杂a-Si∶H时,我们发现随掺杂量的增加,a-Si(P)∶H的直流暗电导σ_D先是增大,在 P/Si=10~(-3)时达最大值,为 10~(-2)(Ω-cm)~(-1)左右.继续的掺杂反而使σ_D下降.相...
[期刊论文] 作者：章熙康,王缨,白国仁,江绵恒,王其闵,
来源：电子学报 年份：1985
研究了氧掺杂对a-Si:H光诱导Staebler-Wronski效应的影响(随着掺氧量的增加,光诱导效应减弱)。在掺氧的a-si:H中,红外吸收光谱显示出氧原子主要作为氢原子附近的弱Si-Si键的...
[期刊论文] 作者：白国仁,周健坤,陈建民,施天生,祁明维,谢雷鸣,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1987
在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm~(-1)吸收峰对应缺陷复合体的两个模型(空位+4H,间隙硅烷),在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根......
[期刊论文] 作者：祁明维,施天生,白国仁,谢雷鸣,蔡培新,高集金,李石岭,
来源：半导体学报 年份：1986
N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究.In the N...
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