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[学位论文] 作者:皮彪, 来源:南开大学 年份:2007
本文对含磷Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料MBE生长与特性进行了研究。文章探讨了含磷Ⅴ/Ⅲ.族化合物半导体激光器,探测器以及HBT的研究进展情况;阐述了分子束外延设备原理、磷炉的工...
[期刊论文] 作者:郭俊杰,张琳,皮彪, 来源:中国机械工程 年份:2002
对使用 2维检具 (球板或孔板 )快速检测三坐标测量机的空间误差 ,进行了较深入的研究。为了高效、准确地实现测量机的误差修正 ,提出了分离坐标测量机的 2 1项几何误差的算法...
[期刊论文] 作者:皮彪,丁上,王叶枫,李晏,陈辛波, 来源:润滑与密封 年份:2018
为优化和改善某重型汽车驱动中桥主减速器的润滑系统,在原有壳体基础上提出增加油勺和油道等部件的优化方案;运用移动粒子半隐式法(MPS)分析该优化方案的润滑效果;以一级柱齿轮和......
[期刊论文] 作者:贾国治,姚江宏,舒永春,邢晓东,皮彪,, 来源:发光学报 年份:2008
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同I......
[期刊论文] 作者:李晏, 皮彪, 王叶枫, 刘林晶, 陈辛波,, 来源:同济大学学报(自然科学版) 年份:2018
将移动粒子半隐式法应用于齿轮搅油损失分析,以研究齿轮传动中搅油损失的内在特性.以单齿斜齿轮为对象分析其在不同浸油深度、齿轮转速和齿轮宽度条件下的搅油损失情况.分析...
[期刊论文] 作者:曹雪,舒永春,叶志成,皮彪,姚江宏,邢晓东,许京军, 来源:人工晶体学报 年份:2010
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。...
[期刊论文] 作者:叶志成,舒永春,曹雪,龚亮,姚江宏,皮彪,邢晓东,许京军, 来源:发光学报 年份:2011
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300K温度范围内的发光特性。随着温度r的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/Ga...
[期刊论文] 作者:叶志成,舒永春,曹雪,龚亮,皮彪,姚江宏,邢晓东,许京军, 来源:中国有色金属学报(英文版) 年份:2004
建立Ⅲ-V族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型.该模型与实验材料InGaP/GaAs, InGaAs/InP 及已发表的GaAsP/GaAs, InAsP/InP 的数据吻合得很好.将晶格应变能ΔG...
[期刊论文] 作者:舒永春,姚江宏,林耀望,邢小东,皮彪,徐波,王占国,许京军, 来源:半导体学报 年份:2005
采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数......
[期刊论文] 作者:皮彪,孙甲明,林耀望,姚江宏,邢晓东,蔡莹,舒强,贾国治,刘, 来源:人工晶体学报 年份:2007
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌.在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长.其主要原因有两种,第一种是生长温...
[期刊论文] 作者:张冠杰,舒永春,皮彪,姚江宏,林耀望,舒强,刘如彬,王占国,许京军,, 来源:人工晶体学报 年份:2005
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导...
[期刊论文] 作者:舒强,舒永春,张冠杰,刘如彬,姚江宏,皮彪,邢晓东,林耀望,许京军,王占国,, 来源:物理学报 年份:2006
在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电...
[期刊论文] 作者:张冠杰,徐波,陈涌海,姚江宏,林耀望,舒永春,皮彪,邢晓东,刘如彬,舒强,王占国,许京军,, 来源:半导体学报 年份:2006
利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子...
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