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[学位论文] 作者：石宏彪,
来源：南京大学 年份：2010
常规的以Si、GaAs等传统半导体材料为基础的器件，由于受到材料本身属性的限制，在功率半导体器件的相应指标上很难再有进一步的提高。而Ⅲ族氮化物(GaN、AlN、InN)作为新一代半...
[期刊论文] 作者：雷勇,石宏彪,陆海,陈敦军,张荣,郑有炓,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The practical design of GaN-based Schottky barrier diodes(SBDs) incorporating a field plate(FP) structure necessitates an understanding of their working mechani...
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