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[学位论文] 作者：秦敬凯,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2012
电子器件的多功能化、高性能、小尺寸等发展需求促进了高密度封装模式快速发展，单个IC裸芯片上的I/O引脚数量急剧增加，焊点尺寸下降，使通过焊点的平均电流密度大大增加，达到104A/......
[学位论文] 作者：秦敬凯,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2004
二维过渡族金属硫属化合物因其优异的电学、光学、力学等物理化学性质,在电子、光电子等领域具有重要的应用前景。在众多的过渡族金属硫属化合物中,二硫化铼（ReS2）特殊的结构引......
[期刊论文] 作者：秦敬凯,甄良,徐成彦,
来源：自然杂志 年份：2020
在后摩尔时代,大规模半导体集成电路对功耗和集成密度的要求使得晶体管器件的开发需要在"材料、制程、结构"三个维度同步推进。文章详细梳理了近年来涌现的新兴低维半导体材...
[期刊论文] 作者：史艳磊,孙聂枫,徐成彦,王书杰,林朋,马春雷,徐森锋,王维,陈春梅,付莉杰,邵会民,李晓岚,王阳,秦敬凯,
来源：无机材料学报 年份：2020
磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对......
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