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[期刊论文] 作者：徐继平,程凤伶,,
来源：人工晶体学报 年份：2016
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试...
[期刊论文] 作者：程凤伶,石瑛,孙媛,,
来源：新材料产业 年份：2009
绝大部分硅材料相关专利掌握在其他国家手中,这对中国企业造成了很大的专利壁垒。为了在市场竞争或出口贸易中避免侵权问题、应对纠纷.了解竞争对手的专利壁垒.建立硅材料专...
[期刊论文] 作者：孙媛,程凤伶,张静,周迎辉,吴晓,郭希,,
来源：新材料产业 年份：2011
随着我国从制造大国向创造大国的迈进，科技创新已经成为企业发展的必由之路。国家统计局数据显示：2009年我国工业企业科技投入总额为3775．7亿元，...
[期刊论文] 作者：张立,于晋京,李耀东,刘佐星,程凤伶,库黎明,,
来源：半导体技术 年份：2011
根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数...
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