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[学位论文] 作者：程知群,,
来源： 年份：2000
随着微波通讯技术的迅速发展，人们对通讯设备的要求也越来越高。体积小，重量轻，可靠性高，稳定性好等优点使得微波单片集成电路在微波通讯领域逐渐取代了波导系统和混合集成电路。......
[期刊论文] 作者：程知群,
来源：微细加工技术 年份：1995
我们采用低温等离子体ＣＶＤ技术在金属表面成功地淀积了ＢＮ－ＳｉＮ复合陶瓷薄膜。并用ＢＦ－１型薄膜附着力测定仪测试了它的结合力，以及用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析其成键状态。结果表明：这种薄膜与基体之间具......
[期刊论文] 作者：程知群,
来源：光电子技术 年份：1996
研究了柔性基（聚酰亚胺）上真空蒸镀ＩＴＯ薄膜的实验装置和工艺参数，给出了最佳工艺参数和实验结果。...
[期刊论文] 作者：程知群,张弦,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2013
该文设计了一款应用于卫星通信基站的Ku波段高效率功率放大器。设计电路中的有源器件为Triquint 0．25μm GaN HEMT功率管，首先对该功率晶体管等效电路模型进行参数提取，用HFSS软...
[期刊论文] 作者：程知群,李成龙,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2013
该文介绍了一款应用于38 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路，并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配，通过......
[期刊论文] 作者：胡莎,程知群,
来源：电子器件 年份：2010
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的外延层结构参数对器件的二维电子气（2DEG）浓度,跨导等性能的影响。通...
[期刊论文] 作者：叶秀丽,程知群,,
来源：中国电力教育 年份：2012
“电力电子变流技术”课程已成为电气工程与自动化专业不可缺少的一门专业课,该课程在培养电气工程专业人才中具有十分重要的地位.结合现代职业教育的特点说明了教学改革的必...
[会议论文] 作者：陈帅;程知群;,
来源：杭州电子科技大学第八届研究生IT创新学术论坛 年份：2015
随着数据通信、无线通信以及航空航天系统的快速发展,高输出功率射频和微波功率放大器在许多应用领域变得越来越重要,如相控阵雷达、点对点无线通信和电子对抗系统等.随...
[会议论文] 作者：张弦;程知群;,
来源：杭州电子科技大学第六届研究生IT创新学术论坛 年份：2013
该文设计了一款应用于卫星通信基站的Ku波段高效率功率放大器.设计电路中的有源器件为Triquint 0.25um GaN HEMT功率管,首先对该功率晶体管等效电路模型进行参数提取,用H...
[会议论文] 作者：程知群,孙玲玲,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
设计了一种具有缺陷接地结构(DGS-Defected Ground Structure)的低相位噪声毫米波平面振荡器.给出了DGS和毫米波电路的仿真结果。仿真结果显示DGS结构在中心频率为f0 =35.6GH...
[会议论文] 作者：康伦,程知群,
来源：2013年全国微波毫米波会议 年份：2013
本文介绍了基于ZigBee技术的智能电表系统设计方案.根据ZigBee标准协议,采用Ember公司(现为Silicon Lab)推出的SOC芯片EM250开发针对智能电表领域的无线通信模块,完成智能电表的总体方案设计,实现模块数据传输、命令解析、安全加密等基本功能,并开发定制针对ESP......
[会议论文] 作者：李成龙,程知群,
来源：杭州电子科技大学第六届研究生IT创新学术论坛 年份：2013
设计了一款应用于宽带通信的C波段高功率放大器.电路拓扑为混合集成方式,设计采用键合线对裸片进行连接,并对键合线连接部分进行电磁场仿真.设计中采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配,通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计,完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿......
[期刊论文] 作者：程知群,徐延延,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2013
该文参考了带隙基准电压源领域的现阶段技术，结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路、补偿电路，设计了一种高精度、低温漂的多输出带隙基准电路。首先简述了传统带隙电压......
[期刊论文] 作者：程知群,孙晓玮,
来源：半导体学报 年份：1999
提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型，分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说......
[期刊论文] 作者：孙晓玮,程知群,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
对微波单片集成（简称ＭＭＩＣ）双栅ＭＥＳＦＥＴ混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双 ＭＥＳＦＥＴ的理论分析与实验结果，建立了一种栅压调制Ｉ－Ｖ特性的经验模型，推导了双栅ＦＥＴ混频器变频增益公式。分......
[期刊论文] 作者：孙晓玮,程知群,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
给出了几种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下ＧａＡｓ ＭＭＩＣ双栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变频特性不如前两种。另......
[期刊论文] 作者：程知群,林隆乾,,
来源：电路与系统学报 年份：2012
该文设计了应用于无线局域网2．4GHz低噪声放大器（LNA），采用了SMIC0．18μmCMOS工艺技术和单端输入差分输出的电路结构。电路同时采用了双支路的电流复用技术，实现了低功耗、低噪声和......
[期刊论文] 作者：程知群,孙晓玮,
来源：半导体学报 年份：1999
本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究，设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件。研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性，同时，由于对ＡｌＧａＩｎＰ和ＧｕａＡｓ腐蚀选择性大，因而工艺简单、重复性......
[期刊论文] 作者：程知群,高启安,
来源：半导体光电 年份：1996
国内外学者对铟锡氧化物膜的各种工艺参数进行了过广泛的研究，然而对低温退火提高ＩＴＯ膜的透光性还未见报道。文章在研究了低温退火工艺对柔性基上真空蒸镀ＴＩＯ膜的透光率的影响后，进一......
[期刊论文] 作者：程知群,毛友德,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1998
本文采用金属剥离技术在ＬｉＮｂＯ３基片上成功地制备了１４０ＭＨｚ声表面波带通滤波器。通过选择最佳工艺参数，提高了声表面波滤波器的性能。...
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