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[期刊论文] 作者：王向武,程祺祥,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
生长短周期ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格，并通过双晶Ｘ射线衍射谱，对ＭＯＣＶＤ超薄层ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｏｎｇ干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面作出评价。Ｘ光衍射测量结果与ＨＥＭＴ结构电学性能......
[期刊论文] 作者：王向武,程祺祥,张岚,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
采用CCl4作为碳掺杂源,进行了重掺碳GaAs层的LP-MOCVD生长,并且对掺杂特性进行了研究,研究了各生长参数对掺杂的影响.CCl4流量是决定掺杂浓度的主要因素.减小生长温度、减小...
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