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[期刊论文] 作者：章灵军,
来源：中国标准化 年份：2019
众所周知,人存在的不安全行为以及物的不安全状态是事故发生的主要原因之一,对各行各业事故进行统计和分析发现,人为原因所造成事故的比例在85％之上,由此可见,事故出现的主要...
[期刊论文] 作者：章灵军,单伟,
来源：半导体学报 年份：1994
本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＣｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ，１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ。当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与......
[会议论文] 作者：王栩生,章灵军,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
本文介绍了最新的使用离子注入技术的太阳电池光电转换效率.在单晶上实现了超过19％的光电转换效率.相应的60片封装标准组件功率超过了260瓦.离子注入技术被证明是一个可靠的和精确的掺杂技术,可替代传统的扩散工艺,用于光伏电池的大规模生产.......
[会议论文] 作者：王栩生,章灵军,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
近些年来随着光伏的普及,对于太阳电池的光电转换效率的要求变得越来越高.单个工艺结构的电池越来越不能满足日益提升的转换效率需求,本文成功地结合了选择性发射极和MWT两种不同的技术,同时仍然保持较为简单的工艺流程.最终电池效率在批量生产中达到了19.8％的水......
[期刊论文] 作者：沈学础,章灵军,陆飞,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大，并计算出表面费......
[期刊论文] 作者：章灵军,沈学础,陆飞,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaAs带间跃迁的Franz-Keldysh效应计算出表面层...
[期刊论文] 作者：章灵军,沈学础,王太宏,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘ－Ａｓ双单量子阱材料的光调制反射光谱（ＰＲ），同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁，采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量，与简单的有限方势阱模型的......
[期刊论文] 作者：朱冉庆,王栩生,章灵军,
来源：中国建设动态：阳光能源 年份：2011
太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径，而高转换效率低成本，易于产业化的高效电池技术是太阳电池发展的目标。近年来高转换效率技术层出不穷，例如SE电池（Selective emitte......
[会议论文] 作者：吴坚;孟夏杰;王栩生;章灵军;,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
低成本高效率太阳能电池是光伏实现平价电网的关键.局部铝背场(LBSF)的太阳能电池有助于实现该目标.本文详细描述了最高效率达到19.7％的LBSF电池的制备过程,及相应的表征和分...
[会议论文] 作者：黄洁,于良成,王栩生,章灵军,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
在晶体硅太阳电池生产过程中，容易出现各种不同的暗电流电池片。暗电流能够反映出材料或现有的工艺是否存在问题。也是电池片可靠性的重要参数。本文通过对各种暗电流情况进行......
[会议论文] 作者：李妍锜,黄洁,王栩生,章灵军,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
随着晶体硅太阳电池生产的逐步扩大和竞争的日渐激烈，控制成本的问题日渐突出，具有多晶的成本和单晶效率的类单晶太阳电池就备受关注起来.但是在类单晶上各个晶粒的电性能有多大差异很难进行判断.SUNS-VOC 能够反映接触电阻、漏电、材料质量以及有效少子寿命，是检......
[会议论文] 作者：吴坚,朱冉庆,王栩生,章灵军,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
掩膜后丝网印刷开槽的方法目前已被用于选择性发射极硅太阳电池的生产。适当的重掺杂和浅掺杂方块电阻的搭配以及丝网印刷开槽和正电极图案对准是能形成高效率电池的关键。围绕如何保持生产中的高效率和高良率，本文主要阐述掩膜生长、腐蚀性浆料印刷、扩散、正电......
[会议论文] 作者：吴坚,沈文忠,王栩生,章灵军,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
本文从理论上研究了晶体硅与黄铜矿类半导体形成异质结太阳能电池的可能性，构造出基于p或n型硅片的不同异质结电池npp+或pnn+结构。通过AMPS-1D软件，本文分析了硅片厚度、背场掺杂浓度及厚度、黄铜矿层的带隙分布及厚度等对PNN+结构异质结光谱响应及J-V曲线的影响......
[期刊论文] 作者：章灵军,薛舫时,张允强,彭正夫,高翔,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势...
[会议论文] 作者：朱冉庆;王立建;吴坚;王栩生;章灵军;,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
常规晶硅太阳电池由于没有采用背场钝化技术，只使用铝背场，而经过烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合和背反射效果方面有很大的局限性，并且是铝硅合金区本身即高复合区，限制了电......
[期刊论文] 作者：高翔,张允强,孙娟,彭正夫,蒋树声,章灵军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。...
[期刊论文] 作者：张允强,高翔,彭正夫,孙娟,蒋树声,章灵军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论...
[期刊论文] 作者：张允强,高翔,彭正夫,孙娟,蒋树声,章灵军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论...
[会议论文] 作者：华夏,李正平,沈文忠,熊光涌,王栩生,章灵军,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池，着重研究了在富氢非晶硅材料的p 型发射层和本征层中缺陷态密度(DOS)带来的影响。基于精确的态密度分布物理模型，得到缺陷态中陷入的载流子浓度，从而揭示其中载流子......
[期刊论文] 作者：王立建,刘彩池,陈玉武,辛国军,左云翔,章灵军,
来源：电源技术 年份：2008
多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势，而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF—HN......
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