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[期刊论文] 作者：管英衔,
来源：低温与特气 年份：1985
前言 半导体工艺过程及大规模集成电路生产中所使用的高纯PH3和B2H6，由于其中含有O2、N2等杂质成份，直接影响了电子产品的质量，所以，必须严格地加以检测和控制。目前，一些发达国家......
[期刊论文] 作者：管英衔,
来源：低温与特气 年份：1987
受江苏省化工厅委托，由无锡市化工局主特，于1987年11月14-15日在无锡召开了工业用标准气、混合气技术鉴定会。化工部，电子部、地质部地质石油中心、中科院上海冶金研究所、中国......
[期刊论文] 作者：园部甲三,管英衔,
来源：低温与特气 年份：1983
...
[期刊论文] 作者：前田祯彦,小林雄之,朱心才,管英衔,
来源：低温与特气 年份：1986
本发明是关于高纯液态CO2的生产方法及装置。用该生产方法和装置，能获得比用以往生产方法制得的99．9％纯度更高的产品。...
[期刊论文] 作者：伊藤正义,宫川博治,张锦葵,管英衔,李怀曙,
来源：低温与特气 年份：1987
本发明是关于用硅或硅合金进行氯化制备Si2Cl6的方法。在得到的生成物中含有Si3Cl8以上的高沸点组分。通过两段低级化处理，即(1)初始的副产高沸点组分，通过加热进行低级化反应...
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