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[期刊论文] 作者：罗恩银,,
来源：半导体光电 年份：1993
介绍了高铝含量和 Mg 掺杂的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池的多片液相外延(LPE)生长技术,分析了 Ga_(1-x)Al_xAs 生长熔体中 GaAs 的熔解度,载流子浓度与 Mg 含量及 x 值与...
[期刊论文] 作者：罗恩银,
来源：半导体光电 年份：1992
本文介绍近几年来我国 GaAs 太阳电池的发展概况,并对其将来的发展做了一些预测。...
[期刊论文] 作者：罗恩银,杨正淮,赵新民,
来源：半导体光电 年份：1992
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍...
[期刊论文] 作者：罗恩银,赵新民,蔡开清,,
来源：半导体光电 年份：1990
本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地...
[期刊论文] 作者：罗恩银,罗海荣,殷顺平,
来源：半导体光电 年份：1986
本文介绍在刻有沟槽的GaAs衬底上生长双异质结构的非平面液相外延工艺。我们通过控制过冷度,防止因回熔吃掉沟槽的方法,采用新的改进型挤压式石墨舟,已用控温精度不高(±1℃)...
[期刊论文] 作者：罗恩银,朱志文,伍峰,张卓勋,殷顺平,黄章勇,
来源：半导体光电 年份：1988
本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采...
[期刊论文] 作者：周子新,谢国柱,罗恩银,龚汨清,于自强,尹秋琴,苏树人,唐红,
来源：半导体光电 年份：1981
本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源。把GaAs(100)衬底腐蚀、清洗后置于衬底台...
[期刊论文] 作者：陈庭金,罗恩银,刘宗光,王琨,钱美珍,吕丽华,马建红,肖湄琳,
来源：半导体光电 年份：1997
介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电......
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