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[期刊论文] 作者：罗睿宏, 倪毅强,,
来源：电力电子技术 年份：2017
目前，采用Si上生长氮化镓（GaN）材料这一技术路线制备功率电子器件，已成为业界共识。而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术。......
[期刊论文] 作者：何亮, 张晓荣, 倪毅强, 罗睿宏, 李柳暗, 陈建国, 张佰君,
来源：电源学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：何亮,张晓荣,倪毅强,罗睿宏,李柳暗,陈建国,张佰君,刘扬,
来源：电源学报 年份：2019
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了...
[期刊论文] 作者：卫静婷,张佰君,刘扬,范冰丰,招瑜,罗睿宏,冼钰伦,王钢,,
来源：半导体技术 年份：2008
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔...
[会议论文] 作者：卫静婷,张佰君,刘扬,范冰丰,招瑜,罗睿宏,冼钰伦,王钢,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底...
[会议论文] 作者：张能,孙永健,罗睿宏,代锦红,李称养,王农华,童玉珍,张国义,王超,邹刚,
来源：第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 年份：2012
基于图形化蓝宝石衬底的GaN基LED器件光功率相比平板蓝宝石衬底的GaN基LED器件有很大增加，是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。本文的目的在于研究图形化蓝...
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