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[期刊论文] 作者：罗维根,
来源：物理 年份：1999
铁电薄膜与半导体集成，产生了新一代非易失存储器。它的功耗之小，写入速度之快，可重写次数之多以及抗辐照能力之强是目前任何一种半导体存储器所不及的。文章介绍了非易失铁电存......
[期刊论文] 作者：罗维根,,
来源：卷宗 年份：2017
2016年12月全国高校思想政治工作会议召开，习近平总书记在讲话中再次强调了提高我国高等教育发展水平的重要性。在此背景下我国高校响应国家的号召着力于课程、教学方式、思想...
[会议论文] 作者：罗维根,
来源：中国电子学会第十届电子元件学术年会 年份：1998
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器，与传统的半导体不挥发存储器比较具有突出的优点，是新一代IC卡的理想存储芯片。...
[期刊论文] 作者：罗维根,
来源：科技信息·学术版 年份：2021
摘要：四史教育是党史、国史、改革开放史和社会主义发展史教育的统称，其内涵非常丰富，是经历实践考验的精神营养剂。工匠精神的培育是职业教育发展的必要环节，是培养学生成为社会主义合格建设者的关键。工匠精神培育本身就是思想政治教育的一部分，在这个过程中，运用好......
[会议论文] 作者：罗维根,
来源：第八届全国电介质物理学术会议 年份：1998
铁电薄膜和半导体集成，产生了阀一代不挥发存储器。由于其功耗之小，存取速度之快，可读写次数之多以及耐辐照能力强，是目前任何一种半导体不挥发存储器所不及的。该文将介绍铁电存......
[期刊论文] 作者：顾爱国,罗维根,
来源：电子元件与材料 年份：1991
用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的（110）SrTiO3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×105A/cm2,高度...
[期刊论文] 作者：丁爱丽,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1995
本文首先报道了纳米晶粒ＰＬＴ（２８）薄膜的制备，并研究其微结构、铁电、电光性能，讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响，以及晶粒尺寸与电光性能的关系。...
[期刊论文] 作者：丁爱丽,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1996
描述铁电薄膜存储器在智能卡中的应用，并与半导体存储器比较。...
[期刊论文] 作者：罗维根,丁爱丽,
来源：无机材料学报 年份：1992
以(Pb_(1-z/100)La_(x/100))Ti_(1-x/400)O_3(简称 PLT)烧结粉末为溅射靶材,用射频磁控溅射技术,研究了PLT 薄膜的淀积工艺及其结构和电光性能。在玻璃和(0001)Al_2O_3衬底上...
[期刊论文] 作者：黄毓虹,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1992
本文作者测量了(28/0/100)PLZT 陶瓷的介电性能,获得了常温及液氮温度下的透射电子衍射象.首次在陶瓷材料中观察到电子波在材料中卫星环状漫散射现象.作者从晶体的衍射及漫散...
[期刊论文] 作者：黄毓虹,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1990
本文用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、反射高能电子衍射等方法,测定了平面直流磁控反应高速率溅射 ZnO 薄膜的显微结构。实验观察到三种不同的表面结构:6mm 对...
[期刊论文] 作者：黄毓虹,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1990
采用直流平面磁控反应高速率溅射的方法制备 ZnO 薄膜。讨论了衬底倾斜放置时,改变衬底偏压对柱状织构倾斜度及比取向度,f_((002)(101))的影响。提出了溅射系统中,衬底偏压对...
[期刊论文] 作者：罗维根,丁爱丽,
来源：无机材料学报 年份：1996
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．...
[期刊论文] 作者：罗维根,丁爱丽,
来源：压电与声光 年份：1999
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器，与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点，是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。...
[期刊论文] 作者：张惠丰,罗维根,
来源：上海硅酸盐 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：罗维根,郭桂枫,,
来源：时代文学 年份：2008
当前,大学生思想政治教育工作在党和政府的高度重视下,各高等学校真抓实干,正在取得越来越多的成果.大学生思想政治教育工作,在实施组织的过程中,通过不断创新,努力增强针对...
[期刊论文] 作者：罗维根,丁爱丽,,
来源：上海微型计算机 年份：1998
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。The integration of ferroelectric thin f...
[期刊论文] 作者：黄毓虹,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1990
采用直流平面磁控反应高速率溅射的方法制备 ZnO 薄膜。讨论了衬底倾斜放置时,改变衬底偏压对柱状织构倾斜度及比取向度,f_((002)(101))的影响。提出了溅射系统中,衬底偏压对...
[期刊论文] 作者：丁爱丽,罗维根,
来源：无机材料学报 年份：1988
本文主要研究 ZnO 薄膜换能器在无损评价中的应用。ZnO 薄膜的体波换能器已经研制成功。本工作的目的是把超声脉冲回波测量技术用到150～400MHz 的高频范围。用这种测量技术可...
[期刊论文] 作者：仇萍荪,罗维根,丁爱丽,
来源：无机材料学报 年份：2001
铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量...
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