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[学位论文] 作者：肖保其,
来源：上海大学 年份：2008
随着先进电子技术的飞速发展，对产品加工精度和表面质量的要求越来越高。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，简称CMP)技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精...
[期刊论文] 作者：肖保其,雷红,,
来源：摩擦学学报 年份：2008
以尿素[CO（NH2）2]、（NH4）2Ce（NO3）6和SiO2为原料，采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2／CeO2复合磨粒，通过x射线衍射仪、x射线光电子能谱仪、飞行时间二次离子质谱仪和扫描电子显微镜等......
[期刊论文] 作者：卢海参, 雷红, 张泽芳, 肖保其,,
来源：润滑与密封 年份：2007
在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料分散稳定性和防止团聚,利用丙烯酰氯对超细氧化铝进行了表面改性,并用XPS、激光粒度仪、SEM对其进行表征,结果表明改性后的超细氧...
[会议论文] 作者：袁晓玥, 雷红, 郝萍, 肖保其, 仝开宇,
来源：中国稀土学会2021学术年会论文摘要集 年份：2022
化学机械抛光（Chemical mechanical polishing,简称CMP）技术是迄今几乎唯一可提供全局平面化的表面精加工技术,磨粒是CMP的关键要素之一,其性能直接影响抛光后工件的表面质量。传统CMP磨粒如SiO2、Al2O3等单一无机颗粒,存在硬度高、化学惰性、实心颗粒内表面得不......
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