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[期刊论文] 作者：水海龙,徐少华,胡道珊,张挂成,
来源：半导体光电 年份：1981
一、引言随着InP光电器件的发展,尤其是长波长InGaAsP/InP异质结的光源器件和探测器的进展,对P型InP(InGaAsP)材料的欧姆接触特性的研究日益令人感到兴趣。以往的工作中广泛...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,胡道珊,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1983
本文叙述了n-GaAs/AuGeNi和P-GaAs/Au-Zn的比接触电阻随合金温度的变化规律,研究了热处理气氛(H_2或N_2气氛中)对合金表面形貌的影响。结果表明:n-GaAs/AuGeNi和n-GaAs/AuGeN...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,胡道珊,
来源：电子学通讯 年份：2004
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,胡道珊,
来源：半导体光电 年份：2004
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—...
[期刊论文] 作者：水海龙,张桂成,邬祥生,陈启屿,徐少华,杨易,胡道珊,
来源：电子学通讯 年份：1982
随着光纤通信系统的发展,长波(1.1—1.7μm)光源的研究巳广泛引起重视。因为在这一波长范围内,石英光纤具有低的传输损耗和材料色散。文献[1]指出,用InGaAsP/InP发光二极管(...
[期刊论文] 作者：水海龙,张桂成,邬祥生,陈启玙,徐少华,杨易,陈瑞璋,胡道珊,
来源：发光与显示 年份：1982
用液相外延技术生长的三层和四层InGaAsP/InP双异质结材料,制成了1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管。光功率输出(100mA)>1.0mW,最高2mW,尾纤输出功率(N.A.0.23,芯径60μ)>50...
[期刊论文] 作者：泮慧珍,张桂成,徐少华,逄永秀,程宗权,富小妹,朱黎明,胡道珊,
来源：电子学通讯 年份：1981
用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推...
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