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[学位论文] 作者：胥传金,,
来源：江南大学 年份：2008
随着纳米加工技术的迅速发展,晶体管的特征尺寸已进入纳米级。通过等比例缩小的方法提高当前主流硅CMOS器件的性能受到越来越多物理、工艺的限制。为了使集成电路技术能延续...
[期刊论文] 作者：胥传金,顾晓峰,于宗光,,
来源：微电子学 年份：2007
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型...
[会议论文] 作者：胥传金,顾晓峰,施昊,于宗光,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用SiGe源漏结构的PMOS晶体管中硅沟道的应变及...
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