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[期刊论文] 作者：舍诺依, S.舍科哈瓦特, B.勃劳克威, 刘茵,
来源：电气技术 年份：2006
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[期刊论文] 作者：P.舍诺依,S.舍科哈瓦特,B.勃劳克威,刘茵,
来源：电气技术 年份：2006
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普...
[期刊论文] 作者：P.舍诺依,S.舍科哈瓦特,B.勃劳克威,刘茵,,
来源：电气技术 年份：2006
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。...
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