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[学位论文] 作者：艾国齐,
来源： 年份：2011
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导电性能等使其在太阳能电池、压电器件、表面声波器件、气敏元件等诸多领域得到广泛应用,在紫外探测器、LED、LD等领域有着巨大的发展潜力......
[期刊论文] 作者：马正洪,谭红琳,艾国齐,,
来源：热加工工艺 年份：2011
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备了Ag+、A13+共掺ZnO薄膜,通过XRD、紫外分光光度计和金相显微镜等设备,研究了掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄膜组织结构和光学性能的影响。...
[期刊论文] 作者：艾国齐,谭红琳,马正洪,,
来源：热加工工艺 年份：2011
在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备Na、Mg共掺杂的ZnO薄膜,Mg含量不变,改变Na的掺杂含量,研究掺杂浓度、退火温度及镀膜层数对薄膜结构和光学性能的影响。结果表明:薄膜形貌...
[期刊论文] 作者：艾国齐,汪延明,苗振林,杨丹,,
来源：科技与企业 年份：2015
一、前言 本文探讨了传统小尺寸正装芯片存在P、N焊盘距离太近无法焊线的缺陷,为了解决这个难题,采用新型电极结构设计,芯片正面只设计一个P焊盘,在芯片侧壁设计N电极线,这样...
[期刊论文] 作者：艾国齐, 汪延明, 苗振林, 袁章洁,,
来源：科技与企业 年份：2015
本实验通过在玻璃衬底上，采用溶胶-凝胶法制备K＋、Mg2＋共掺杂ZnO薄膜，固定K＋与Zn2＋摩尔比，改变Mg2＋的掺杂含量，实验表明随着Mg2＋掺杂量增加，薄膜的致密性更好，透光率不断提高，说明薄膜随着......
[期刊论文] 作者：艾国齐, 陈凯, 葛玉龙, 刘芳, 艾诚轩,,
来源：科技经济导刊 年份：2018
通过在玻璃和蓝宝石衬底上蒸镀厚度为1100?的ITO,采用不同的退火条件,研究了ITO对LED蓝光芯片光电性能的影响,实验表明:较高的退火温度有利于ITO薄膜穿透率提高和片电阻降低,...
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