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[学位论文] 作者：苏绍斌,,
来源： 年份：2007
MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位,为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe材料由于具有迁移率高、禁带宽度小,与CMOS工艺具...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：中国医药指南 年份：2011
目的观察西咪替丁减少阿齐霉素不良反应的效果。方法对200例支原体肺炎患儿按就诊顺序单双号分为两组,观察组（100例）用西咪替丁注射液于静脉滴注阿齐霉素前静脉滴注1次,对照组（1......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：吉林医学 年份：2015
目的：观察低渗口服补液盐治疗轮状病毒肠炎的疗效。方法：将120例患轮状病毒肠炎的婴幼儿随机分为2组，对照组60例采用标准口服补液盐治疗，治疗组60例采用低渗口服补液盐治疗。观察......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：深圳中西医结合杂志 年份：2015
目的:研究探讨新生儿重症监护室(NICU)医院感染发生的相关因素。方法:选取2012年6月-2014年5月本院NICU收治的患儿1013例作为研究对象,筛选合并感染的患儿,回顾性分析患儿的...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：中国医学工程 年份：2015
目的分析前降钙素（PCT）和C反应蛋白（CRP）对新生儿细菌感染的诊断价值。方法选择2013年1月-2014年12月我院收治的40例受到细菌感染的新生儿设定为感染组,选择同期出生的正常新生儿......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：中国医学工程 年份：2015
目的对我院常见难治性细菌感染的耐药性进行研究,为难治性细菌感染的防治提供科学依据。方法研究对象取自于我院2013年11月-2014年11月收治的158例感染患儿,对患儿临床病案资...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,
来源：淮海医药 年份：2001
目的分析复方丹参注射液清除自由基，减轻脑损害治疗新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)临床疗效。方法全部病例均采用综合措施治疗，对照组30例给予小剂量甘露醇、氟美松、速尿脱水降颅......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,,
来源：中国医药导刊 年份：2011
目的：通过测定毛细支气管炎患儿微量元素锌、铁、铜、钙、镁、铅的含量以了解毛支患儿是否存在微量元素缺乏。方法：将2岁以下的婴幼儿研究对象分为两组：60例毛支组和60例健康对......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,
来源：课程教育研究：学法教法研究 年份：2017
小学三年级学生是《科学》课初始阶段，对于他们来说是一件极为兴奋的事情，学生对科学教材产生非常浓厚的兴趣，有强烈的学习欲望，愿意主动参与到科学探究活动中来。因此，教师首先要......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,
来源：学习与科普 年份：2019
摘要：上下五千年中华文明，仰赖教育的传承。身为一名教育工作者，我自知身上肩负的使命，也深感荣幸！浩瀚的历史星空中，不乏那些闪耀的明星，历经时光的洗礼，依旧熠熠生辉。他们就是我们中华民族智慧的结晶，人类精神文明的领袖，我们尊称他们为“古圣先贤”。迄至于今，他们伟大......
[期刊论文] 作者：苏绍斌,曾路菲,,
来源：中国社区医师(医学专业) 年份：2011
目的：评价热毒宁注射液治疗儿童病毒性肺炎的疗效和安全性.方法：70例病毒性肺炎患儿随机分两组,观察组给予热毒宁注射液治疗,0.5～0.6ml/（kg·日）,1次/日,静滴;对照组给予病毒...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,董传军,
来源：国防 年份：2000
近年来,新乡市针对部队科技练兵的深入和武器装备科技含量不断提高的实际提出:为驻军提供科技资源,在资金、人才、技术、设备和物资等方面给予支持和保障,广泛开展“科技进军...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,曾路菲,,
来源：中国社区医师 年份：2015
目的:对顺德北滘地区毛细支气管炎合并细菌感染患儿病原菌谱变化以及细菌耐药性进行分析,指导临床合理选择抗生素。方法:2014年1月-2015年3月收治毛细支气管炎合并细菌感染患...
[期刊论文] 作者：徐静平,苏绍斌,邹晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符...
[期刊论文] 作者：李青艳,黄紫红,苏绍斌,李小瑜,
来源：现代预防医学 年份：2001
贫血是儿童期常见的一种症状,严重影响儿童智力及生长发育,是妨碍人口素质提高的原因之一.为了解掌握端州区市直幼儿园1～7岁儿童贫血情况,本文进行了调查,现报告如下....
[期刊论文] 作者：邹晓,徐静平,李艳萍,陈卫兵,苏绍斌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
通过求解泊松方程，综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应，建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型，模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明，当SiGe沟道长度小于200nm时．阈值......
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