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[学位论文] 作者：苑汇帛,
来源：长春理工大学 年份：2014
本文通过理论分析和软件模拟，设计了InGaAs/GaAs材料的半导体外延结构。利用LP_MOCVD（低压金属有机化学气相沉积）系统进行实验生长，通过对比试验和常温PL（光荧光）测试，详细讨论了量......
[学位论文] 作者：苑汇帛,
来源：长春理工大学 年份：2020
GaAs基纳米线材料在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景,近年来一直是国内外研究的热点。由于其高迁移率,高漂移速度等特性,可被应用于在红外探测器、场效应管、红外激光器、LED、太阳能电池、单光子源等多个领域。近几年对于GaAs基纳米线的研......
[期刊论文] 作者：沈秋石,李林,苑汇帛,乔忠良,张晶,曲轶,刘国军,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2017
利用MOCVD在InP半绝缘衬底上生长N型InP,在KOH溶液中电化学腐蚀形成纳米多孔结构的。通过实验证实在半绝缘衬底上的InP纳米孔腐蚀具有可行性,并且得到了腐蚀质量较好、图形清...
[期刊论文] 作者：戴银,李林,苑汇帛,乔忠良,谷雷,刘洋,李特,曲轶,,
来源：中国激光 年份：2014
模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8mA,限...
[期刊论文] 作者：刘洋,李林,乔忠良,苑汇帛,谷雷,戴银,李特,曲轶,,
来源：中国激光 年份：2014
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子...
[期刊论文] 作者：谷雷,李林,乔忠良,孔令沂,苑汇帛,刘洋,戴银,薄报学,刘国军,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2014
High-strain InGaAs/GaAs quantum wells(QWs) are grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD). Photoluminescence(PL) at room temperatur...
[期刊论文] 作者：张桐鹤,李林,苑汇帛,曾丽娜,张晶,李再金,曲轶,马晓辉,刘,
来源：现代物理 年份：2018
通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V~25 V,并以能带模型进行理...
[期刊论文] 作者：戴银,李林,苑汇帛,乔忠良,孔令沂,谷雷,刘洋,李特,曲轶,刘国军,,
来源：光学学报 年份：2014
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表...
[期刊论文] 作者：苑汇帛,李林,曾丽娜,张晶,李再金,曲轶,杨小天,迟耀丹,马,
来源：物理学报 年份：2018
利用金（Au）辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜（SEM）测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机...
[期刊论文] 作者：苑汇帛,李林,乔忠良,孔令沂,谷雷,刘洋,戴银,李特,张晶,曲轶,,
来源：中国激光 年份：2014
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势...
[期刊论文] 作者：戴银,李林,苑汇帛,乔忠良,孔令沂,谷雷,刘洋,李特,曲轶,刘国,
来源：光学学报 年份：2014
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