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[学位论文] 作者：莫玉斌,
来源：南京航空航天大学 年份：2023
传统Si基电机驱动器由于Si材料的限制,其性能已经遭遇了发展的瓶颈。SiC器件作为新型宽禁带半导体器件之一,较之于Si器件具有高开关速度、低导通损耗、耐高压和耐高温等特点。因此,研究适用于永磁同步电机驱动系统的SiC功率单元对提升电机驱动器的最高工作频率......
[期刊论文] 作者：秦海鸿,莫玉斌,张英,杨跃茹,赵朝会,
来源：南京航空航天大学学报 年份：2020
碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力...
[期刊论文] 作者：莫玉斌,秦海鸿,修强,王守一,史杭,
来源：电工电能新技术 年份：2020
为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC BJT的详细开关过程,分析了加速电容对Si C...
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