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[期刊论文] 作者：董四华,梁璐,杨光晖,,
来源：半导体技术 年份：2014
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点...
[期刊论文] 作者：董四华,刘英坤,冯彬,孙艳玲,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到...
[期刊论文] 作者：梁勤金,董四华,郑强林,余川,,
来源：电讯技术 年份：2013
研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W...
[期刊论文] 作者：黄雒光,董四华,刘英坤,郎秀兰,,
来源：半导体技术 年份：2009
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用...
[会议论文] 作者：董四华,杨光晖,刘英坤,张鸿亮,邓建国,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 mm×20 mm的S波段功率放大模块。在2100-2......
[期刊论文] 作者：冯彬,刘英坤,孙艳玲,段雪,董四华,
来源：半导体技术 年份：2007
利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数，与研制结果进行了...
[期刊论文] 作者：苏延芬,刘英坤,邓建国,胡顺欣,冯彬,董四华,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流...
[会议论文] 作者：段雪;董四华;刘英坤;田秀伟;邓建国;孙艳玲;冯彬;,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究，从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿（SEGR）和单粒子烧毁（SEB）的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯,
来源：微纳电子技术 年份：2020
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[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯彬,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。...
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