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[学位论文] 作者：董若岩,
来源：电子科技大学 年份：2015
作为第三代半导体材料代表的GaN材料,相对来说具有禁带宽度大、击穿场强高以及高电子密度和高的电子迁移率等优点,因此成为高温、高频、微波毫米波领域半导体器件的理想材料...
[学位论文] 作者：董若岩,
来源：郑州大学 年份：2021
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[会议论文] 作者：王婷婷,董若岩,秦东晨,
来源：第十七届河南省汽车工程科技学术研讨会 年份：2020
本文以赛车车架为研究对象进行轻量化优化设计，综合车身的灵敏度、车身的碰撞安全性能和有限元仿真分析方法，采用基于遗传算法的轻量化优化设计。首先建立了车架有限元模型......
[期刊论文] 作者：何放,董若岩,徐跃杭,,
来源：半导体技术 年份：2016
为了准确描述毫米波Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)短栅长器件的热电效应,在Silvaco TCAD软件中建立了毫米波AlGaN/GaN HEMT能量平衡物理模型。该模型不仅考虑表面态和陷阱效...
[会议论文] 作者：董若岩,徐跃杭,谢俊,徐锐敏,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型.针对毫米波GaN HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量...
[期刊论文] 作者：孔欣,陈勇波,董若岩,刘安,汪昌思,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2020
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形...
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