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[期刊论文] 作者：黄贞松, 蒋东铭, 匡珩,,
来源：现代信息科技 年份：2017
本文研究采用SOI（绝缘体上硅）工艺设计开关芯片,砷化镓（GaAs）工艺单片LNA,MCM（多芯片组装工艺）技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过CW功率5W,NF小于1...
[期刊论文] 作者：赵亮,黄风义,蒋东铭,朱玉峰,沈懿,,
来源：信息技术 年份：2007
介绍了基于0.18μmCMOS工艺的802.11a无线局域网(WLAN)有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频(RF),本振(LO)和中频(IF)信号频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2GHz。仿真结果...
[期刊论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,许正荣,张有涛,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC~6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度...
[期刊论文] 作者：李亚军, 李晓鹏, 张有涛, 蒋东铭, 陈新宇, 杨磊,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
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