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[学位论文] 作者：蔡一茂,
来源：北京大学 年份：2006
半导体闪存包括浮栅闪存和分离陷阱闪存是目前应用最为广泛的非挥发性存储器之一。近年来，在市场需求和技术革新的双重驱动下闪存技术得到迅猛发展。然而随着闪存器件尺寸的缩......
[学位论文] 作者：蔡一茂,
来源：北京师范大学 年份：2003
研制和生产出作为集成电路基本元件的小尺寸、高速、低功耗晶体管一直是各科技大国和公司追求的目标.偶载场效应晶体管(DCFET)是一种新型器件.能够把器件二维寄生效应部分变...
[会议论文] 作者：蔡一茂,
来源：2015中国国际功能材料科技与产业高层论坛 年份：2015
The organic resistance memories are promising for future flexible applications.In this paper the main challenges and typical recent progress of the organic resistance memory devicesarereviewed....
[期刊论文] 作者：黄如,Yiran CHEN,蔡一茂,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2021
高性能计算和数据处理芯片是软件算法功能实现的硬件载体,软件算法和高性能计算芯片有着相互依存、相互促进的关系.近年来,集成电路蓬勃发展带来的算力提升对基于深度神经网络的智能应用取得巨大成功有着不可磨灭的贡献.同时,大数据和人工智能时代的来临也给传......
[期刊论文] 作者：蔡一茂,姬成周,李国辉,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2003
利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers-Moll)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.这样通过流经各个PN结的电流的变化,可以研究数字集成晶体管在不同工作状...
[期刊论文] 作者：蔡一茂,赵元富,兰利东,,
来源：微电子学与计算机 年份：2012
可重构的SoC（system-on-a-chip）是嵌入式系统发展的一个重要方向，它不仅可以达到较高的性能而且更加的灵活．介绍了一种国产的SoPC（SystemonaProgrammableChip）平台，并基于此平台提出...
[期刊论文] 作者：单晓楠,黄如,李炎,蔡一茂,,
来源：物理学报 年份：2007
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的.NiSi材料的...
[期刊论文] 作者：黄如,黎明,安霞,王润声,蔡一茂,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2012
随着大规模集成电路(IC)技术的持续发展,来自短沟效应、量子隧穿以及寄生效应等问题的挑战使得传统微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续推进的要求,特别是日益严峻的能耗...
[期刊论文] 作者：蔡一茂,黄如,单晓楠,周发龙,王阳元,
来源：电子学报 年份：2006
随着超大规模集成电路技术的发展，CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术，因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义．本文研究了超浅结工艺中使用的锗......
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