搜索筛选:
搜索耗时0.0796秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：蔡抒言,,
来源：电子科技大学 年份：2020
为了满足通讯系统日益增长的性能指标,亟需研发更加强大的微波功率器件。用GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT),因其高频率、高功率、高效率等特性,被广泛应用于微波电路之中。而半导体器件模型向下承接器件的工艺生产,可提高工艺水平,向上承接器件的电路设......
[会议论文] 作者：陈勇波, 汪昌思, 王凤, 赵佐, 蔡抒言,,
来源： 年份：2004
本文提出了一种AlGaN/GaN HEMT大功率管芯非线性模型的建模方法。该方法在小功率单胞器件非线性模型的基础上,引入大功率多胞器件的热模型和电磁模型,从而准确地模拟GaN大功...
相关搜索：
