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[会议论文] 作者：郭钰, 彭同华, 蔡振立, 陈小龙,,
来源： 年份：2015
碳化硅（SiC）具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会......
[期刊论文] 作者：郭钰, 彭同华, 刘春俊, 杨占伟, 蔡振立,,
来源：无机材料学报 年份：2019
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I...
[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源：无机材料学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源：无机材料学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,袁文霞,蔡振立,张贺,王波,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
选用二氧化硅抛光液抛光4H导电Si C晶片表面,探究影响Si C晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,Si C表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作...
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