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[学位论文] 作者：袁文迁,,
来源：北京交通大学 年份：2018
压接型IGBT的芯片和电极之间采用压力接触代替引线键合,消除了键合线脱落和焊层退化等失效问题,压接型IGBT结构设计使得可以在集电极侧和发射极侧进行双面冷却,热阻值较焊接...
[期刊论文] 作者：袁文迁,赵志斌,焦超群,莫申扬,唐新灵,
来源：华北电力大学学报：自然科学版 年份：2018
IGBT动态测试平台的寄生电感影响IGBT器件的开关参数以及开关损耗,因此,提取动态测试平台回路的寄生电感对于准确获得IGBT器件的开关参数具有重要意义。传统的寄生电感提取方...
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