搜索筛选:
搜索耗时0.0321秒,为你在为你在61,042,058篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：袁至衡,,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2017
随着半导体器件的尺寸不断减小,短沟道效应和漏致势垒下降效应等次级物理效应不断增强,严重影响了器件性能,给器件和电路的仿真模拟带来了一系列的挑战。解析模型能够给出描...
[期刊论文] 作者：张满红,袁至衡,,
来源：现代电子技术 年份：2017
定义一个平均误差，该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度，通过平均误差计算......
相关搜索：
